無錫新洁能(NCE Power)

無锡新能能電力半导体有限公司は江苏省重点支援半導体大電力デバイス設計高新技術企図であり、MOS半導体電力デバイス（溝型大電力MOSデバイス、超MOSデバイス、NPT-IGBT）および放射周波数（マイクロ波）RF-LDMOSデバイスの設計に注目しています。コストを考慮したコア、電圧、およびサービスを設計、製造、テストしており、中国で最初に成功を収めている大電力超伝導 MOSFET (SJ-MOSFET) の設計会社でもあります。